SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法

作者:标准资料网 时间:2024-05-20 00:12:04   浏览:9216   来源:标准资料网
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基本信息
标准名称:MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法
英文名称:Rapid screening test methods for Thermal sensitive parameter of MOS field effect transistor
中标分类:
发布部门:中华人民共和国信息产业部
发布日期:2000-10-20
实施日期:2000-10-20
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
提出单位:中华人民共和国信息产业部
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:杭州电源技术研究所
起草人:叶奇放、易本健、赵英等
出版社:工业电子出版社
出版日期:2000-10-20
页数:5页
适用范围

本规范规定了MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选的试验方法。
本规范适用于MOS场效应晶体管(以下简称电阻器)热敏参数快速筛选。

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引用标准

GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

所属分类:
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【英文标准名称】:Compositestringinsulatorunitsforoverheadlineswithanominalvoltagegreaterthan1kV-Part2:Dimensionalandelectricalcharacteristics(IEC61466-2:1998+A1:2002);GermanversionEN61466-2:1998+A1:2002
【原文标准名称】:标称电压大于1000V的架空线路用复合绝缘子串单元.第2部分:尺寸和电气特性(IEC61466-2:1998+A1:2002);德文版本EN61466-2:1998+A1:2002
【标准号】:EN61466-2-2002
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2002-12
【实施或试行日期】:2002-12-01
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:分配装置;额定电压;架空线;高电压;额定值;绝缘子串组合件;电气工程;复合绝缘子;电性质和电现象;额定电压装置;绝缘子;尺寸;分类系统;照明过电压
【英文主题词】:Classificationsystems;Compositeinsulators;Dimensions;Distributioninstallation;Electricalengineering;Electricalpropertiesandphenomena;Highvoltage;Installationsforratedvoltages;Insulators;Lightningsurgevoltages;Overheadpowerlines;Ratedvoltage;Ratings;Stringinsulatorunits
【摘要】:
【中国标准分类号】:K48
【国际标准分类号】:29_080_10
【页数】:11P.;A4
【正文语种】:英语


基本信息
标准名称:金属粉末粒度分布的测定 光透法
英文名称:Determination of particle size distribution of metallic powders by method of photosedimentation
中标分类: 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法
ICS分类: 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料化学分析
替代情况:被GB/T 6524-2003代替
发布日期:1986-06-23
实施日期:1987-05-01
首发日期:1900-01-01
作废日期:2004-05-01
出版日期:1900-01-01
页数:7页
适用范围

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所属分类: 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法 冶金 金属材料试验 金属材料化学分析